APTM20DHM16TG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM20DHM16TG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM20DHM16TG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM20DHM16TG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTM20DHM16TG
- رقم القطعة:
- APTM20DHM16TG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57930 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTM20DHM16TG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP4 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 19 mOhm @ 52A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 390W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7220pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 104A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTM20DHM16TG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM20DHM10G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DUM05TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 | تحقيق |
 |
APTM20DAM05G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DHM08G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DUM05G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DHM16T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 | تحقيق |
|
APTM20AM10STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | تحقيق |
|
APTM20DUM10TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | تحقيق |
|
APTM20HM16FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 | تحقيق |
|
APTM20DHM20TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 | تحقيق |
 |
APTM20DUM04G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DAM08TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | تحقيق |
|
APTM20HM08FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DAM04G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | تحقيق |
|
APTM20DAM10TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | تحقيق |
|
APTM20HM20FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | تحقيق |
|
APTM20DUM08TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | تحقيق |
|
APTM20HM10FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 | تحقيق |
|
APTM20AM08FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | تحقيق |
|
APTM20AM10FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي