العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > APTM120U10SCAVG
APTM120U10SCAVG
APTM120U10SCAVG
رقم القطعة:
APTM120U10SCAVG
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
33571 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
APTM120U10SCAVG.pdf
تحقيق

المقدمة

APTM120U10SCAVG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM120U10SCAVG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM120U10SCAVG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM120U10SCAVG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 20mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SP6
سلسلة:POWER MOS 7®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:120 mOhm @ 58A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3290W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SP6
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:32 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:28900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1100nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V
وصف تفصيلي:N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:116A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPTM120U10SCAVG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APTM120UM95FAG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 تحقيق
APTM120SK15G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 تحقيق
APTM120TDU57PG Image APTM120TDU57PG Microsemi MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P تحقيق
APTM120SK29TG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 تحقيق
APTM120SK56T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 تحقيق
APTM120U10DAG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 تحقيق
APTM20AM08FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 تحقيق
APTM120VDA57T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 تحقيق
APTM20AM10FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 تحقيق
APTM120H57FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 تحقيق
APTM120UM70FAG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 تحقيق
APTM120H57FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 تحقيق
APTM120UM70DAG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 تحقيق
APTM120TA57FPG Image APTM120TA57FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P تحقيق
APTM20AM06SG Microsemi MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 تحقيق
APTM20AM05FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 تحقيق
APTM120SK68T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 تحقيق
APTM20AM04FG Image APTM20AM04FG Microsemi MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 تحقيق
APTM20AM05FG Microsemi MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 تحقيق
APTM120U10SAG Image APTM120U10SAG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 تحقيق

Latest الأخبار