APTM100H35FTG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM100H35FTG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM100H35FTG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM100H35FTG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTM100H35FTG
- رقم القطعة:
- APTM100H35FTG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44154 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTM100H35FTG.pdf2.APTM100H35FTG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP4 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 390W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 186nC @ 10V |
| نوع FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTM100H35FTG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM100DA18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | تحقيق |
|
APTM100DDA35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | تحقيق |
|
APTM100DU18TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | تحقيق |
 |
APTM100H45SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | تحقيق |
|
APTM100DUM90G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | تحقيق |
|
APTM100H46FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | تحقيق |
|
APTM100SK40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | تحقيق |
|
APTM100DA40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | تحقيق |
|
APTM100DA33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | تحقيق |
|
APTM100SK18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | تحقيق |
 |
APTM100H18FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | تحقيق |
|
APTM100SK33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | تحقيق |
 |
APTM100TA35FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P | تحقيق |
|
APTM100H45FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | تحقيق |
|
APTM100DSK35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | تحقيق |
|
APTM100SKM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | تحقيق |
|
APTM100DAM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | تحقيق |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | تحقيق |
 |
APTM100H45STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | تحقيق |
|
APTM100H35FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل