APTLGT300A1208G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTLGT300A1208G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTLGT300A1208G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTLGT300A1208G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTLGT300A1208G
- رقم القطعة:
- APTLGT300A1208G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOD IGBT 1200V 440A LP8
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41711 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTLGT300A1208G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 2500Vrms |
| الجهد االكهربى: | 1.2kV |
| اكتب: | IGBT |
| سلسلة: | - |
| حزمة / كيس: | 6-PowerSIP Module |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Power Driver Module IGBT Half Bridge 1.2kV 440A 6-PowerSIP Module |
| تيار: | 440A |
| ترتيب: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTLGT300A1208G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM100A13SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | تحقيق |
 |
APTM100A12STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | تحقيق |
 |
APTM100A13SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | تحقيق |
 |
APTLGT400A608G | Microsemi | POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 | تحقيق |
 |
APTH012A0X3-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.6V 44W | تحقيق |
 |
APTJC120AM25VCT1AG | Microsemi | MOSFET MODULE | تحقيق |
 |
APTLGF350A608G | Microsemi | POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 | تحقيق |
 |
APTH006A0X4-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 22W | تحقيق |
 |
APTM08TDUM04PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | تحقيق |
 |
APTH020A0X43-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 73W | تحقيق |
 |
APTM100A18FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | تحقيق |
|
APTM100A13DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | تحقيق |
 |
APTLGF300A1208G | Microsemi | POWER MOD IGBT PHASE LEG LP8 | تحقيق |
|
APTJC120AM13VCT1AG | Microsemi | MOSFET SIC PHASE LEG MODULE | تحقيق |
|
APTH020A0X3-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.6V 72W | تحقيق |
|
APTM100A23STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | تحقيق |
|
APTM08TAM04PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | تحقيق |
|
APTH012A0X43-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 44W | تحقيق |
 |
APTLGL325A1208G | Microsemi | POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 | تحقيق |
|
APTM100A23SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار