APTGV50H60T3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGV50H60T3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGV50H60T3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGV50H60T3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGV50H60T3G
- رقم القطعة:
- APTGV50H60T3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28002 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTGV50H60T3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 15V, 50A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 176W |
| حزمة / كيس: | SP3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 3.15nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT, Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP3 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 80A |
| ترتيب: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGV50H60T3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGV15H120T3G | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 | تحقيق |
|
APTGV30H60T3G | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 | تحقيق |
|
APTGV25H120T3G | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 | تحقيق |
 |
APTH006A0X-SR | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 22W | تحقيق |
|
APTGV50H60BG | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 | تحقيق |
 |
APTGV50H120T3G | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 | تحقيق |
|
APTH006A0X-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 22W | تحقيق |
|
APTH003A0X4-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.6V 10W | تحقيق |
|
APTGV25H120BG | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 | تحقيق |
 |
APTH012A0X43-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 44W | تحقيق |
|
APTH006A0X4-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 22W | تحقيق |
|
APTGV100H60BTPG | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P | تحقيق |
|
APTH012A0X3-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.6V 44W | تحقيق |
|
APTGV75H60T3G | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 | تحقيق |
|
APTH003A0X-SR | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 11W | تحقيق |
|
APTGV100H60T3G | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 | تحقيق |
|
APTGV50H60BT3G | Microsemi | MOD IGBT NPT 600V SP3 | تحقيق |
|
APTGV50H120BTPG | Microsemi | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P | تحقيق |
|
APTH003A0X-SRZ | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.6V 10W | تحقيق |
|
APTH006A0X4-SR | GE Critical Power | DC DC CONVERTER 0.6-3.63V 22W | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل