APTGT75DH120TG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT75DH120TG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT75DH120TG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT75DH120TG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT75DH120TG
- رقم القطعة:
- APTGT75DH120TG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45068 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGT75DH120TG.pdf2.APTGT75DH120TG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 75A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP4 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 357W |
| حزمة / كيس: | SP4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 5.34nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 110A |
| ترتيب: | Asymmetrical Bridge |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT75DH120TG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT75DDA60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | تحقيق |
 |
APTGT75A60T1G | Microsemi | IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 | تحقيق |
 |
APTGT75H60T2G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 | تحقيق |
|
APTGT75DSK60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT75A170D1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
 |
APTGT75DA120TG | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | تحقيق |
|
APTGT75SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W D1 | تحقيق |
|
APTGT75DA120T1G | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | تحقيق |
|
APTGT75SK120T1G | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | تحقيق |
|
APTGT75DA170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 120A 520W D1 | تحقيق |
 |
APTGT75DA60T1G | Microsemi | POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 | تحقيق |
 |
APTGT75H60T1G | Microsemi | POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTGT75H120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGT75DH60TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGT75H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT75DA170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 130A 465W SP1 | تحقيق |
|
APTGT75DH60T1G | Microsemi | MOD IGBT 600V 100A SP1 | تحقيق |
|
APTGT75DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W D1 | تحقيق |
|
APTGT75DH120T3G | Microsemi | MOD IGBT 1200V 110A SP3 | تحقيق |
|
APTGT75DU120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل