APTGT50TA60PG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT50TA60PG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT50TA60PG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT50TA60PG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT50TA60PG
- رقم القطعة:
- APTGT50TA60PG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53023 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGT50TA60PG.pdf2.APTGT50TA60PG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 15V, 50A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6-P |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 176W |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 3.15nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 600V 80A 176W Chassis Mount SP6-P |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 80A |
| ترتيب: | Three Phase |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT50TA60PG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT50TL60T3G | Microsemi | MOD IGBT 600V 80A SP3 | تحقيق |
|
APTGT580U60D4G | Microsemi | IGBT 600V 760A 1600W D4 | تحقيق |
|
APTGT50SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 75A 270W D1 | تحقيق |
|
APTGT50H60T2G | Microsemi | MOD IGBT 600V 80A SP2 | تحقيق |
|
APTGT50SK170TG | Microsemi | IGBT 1700V 75A 312W SP4 | تحقيق |
 |
APTGT50SK170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 75A 312W SP1 | تحقيق |
|
APTGT600DA60G | Microsemi | IGBT 600V 700A 2300W SP6 | تحقيق |
 |
APTGT50H60T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT50SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 75A 277W SP4 | تحقيق |
 |
APTGT600A60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 | تحقيق |
|
APTGT50H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTGT600DU60G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | تحقيق |
 |
APTGT50X60T3G | Microsemi | IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT50SK170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 70A 310W D1 | تحقيق |
 |
APTGT50H60RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT50TDU170PG | Microsemi | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P | تحقيق |
|
APTGT50TDU60PG | Microsemi | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P | تحقيق |
 |
APTGT50TL601G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 | تحقيق |
 |
APTGT600SK60G | Microsemi | IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6 | تحقيق |
|
APTGT50TA170PG | Microsemi | IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P | تحقيق |
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل