APTGT50H120TG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT50H120TG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT50H120TG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT50H120TG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT50H120TG
- رقم القطعة:
- APTGT50H120TG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40684 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGT50H120TG.pdf2.APTGT50H120TG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 50A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP4 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 277W |
| حزمة / كيس: | SP4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 3.6nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 75A |
| ترتيب: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT50H120TG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT50DU170TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | تحقيق |
 |
APTGT50H60RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT50DSK120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT50SK170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 70A 310W D1 | تحقيق |
|
APTGT50H60T2G | Microsemi | MOD IGBT 600V 80A SP2 | تحقيق |
 |
APTGT50SK170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 75A 312W SP1 | تحقيق |
|
APTGT50H170TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGT50H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTGT50H60T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT50SK170TG | Microsemi | IGBT 1700V 75A 312W SP4 | تحقيق |
|
APTGT50DH60TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGT50DU120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | تحقيق |
|
APTGT50DH60T1G | Microsemi | MOD IGBT 600V 80A SP1 | تحقيق |
|
APTGT50DH120T3G | Microsemi | MOD IGBT 1200V 75A SP3 | تحقيق |
 |
APTGT50DH120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGT50DH170TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGT50DSK60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
 |
APTGT50H120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT50SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 75A 277W SP4 | تحقيق |
|
APTGT50SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 75A 270W D1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل