APTGT30H170T3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT30H170T3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT30H170T3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT30H170T3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT30H170T3G
- رقم القطعة:
- APTGT30H170T3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30365 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGT30H170T3G.pdf2.APTGT30H170T3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1700V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 30A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 210W |
| حزمة / كيس: | SP3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 2.5nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1700V 45A 210W Chassis Mount SP3 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 45A |
| ترتيب: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT30H170T3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT300SK60G | Microsemi | IGBT 600V 430A 1150W SP6 | تحقيق |
|
APTGT30TL60T3G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP3 | تحقيق |
|
APTGT30H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT30SK170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | تحقيق |
|
APTGT300TL65G | Microsemi | IGBT 650V SP6C | تحقيق |
|
APTGT30DDA60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT30A60T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
|
APTGT30TL601G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP1 | تحقيق |
 |
APTGT300TL60G | Microsemi | POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6 | تحقيق |
|
APTGT30DA170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W D1 | تحقيق |
|
APTGT30SK170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W D1 | تحقيق |
|
APTGT30DSK60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT30X60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT35A120D1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
|
APTGT30A170T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
|
APTGT30DA170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | تحقيق |
|
APTGT30H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTGT30A170D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
|
APTGT35A120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
|
APTGT35DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل