APTGLQ600A65T6G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGLQ600A65T6G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGLQ600A65T6G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGLQ600A65T6G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGLQ600A65T6G
- رقم القطعة:
- APTGLQ600A65T6G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41598 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTGLQ600A65T6G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 600A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 2000W |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 36.6nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 1200A 2000W Through Hole SP6 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 600µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1200A |
| ترتيب: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGLQ600A65T6G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT100A170TG | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 | تحقيق |
 |
APTGT100A120TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 | تحقيق |
|
APTGT100A120T3AG | Microsemi | MOD IGBT 1200V 140A SP3 | تحقيق |
|
APTGLQ50TL65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGLQ50H65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGT100A1202G | Microsemi | MOD IGBT 1200V 140A SP2 | تحقيق |
|
APTGLQ75H120TG | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGLQ50DDA65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGLQ75H65T1G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 | تحقيق |
 |
APTGT100A120D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
 |
APTGLQ400A120T6G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 | تحقيق |
|
APTGT100A170D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
|
APTGLQ80HR120CT3G | Microsemi | PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F | تحقيق |
|
APTGLQ50VDA65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGLQ40HR120CT3G | Microsemi | PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F | تحقيق |
|
APTGLQ30H65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGLQ40H120T1G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 | تحقيق |
|
APTGLQ50H65T1G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APTGLQ40DDA120CT3G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 | تحقيق |
|
APTGLQ75H120T3G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق