APTGF50TA120PG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGF50TA120PG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGF50TA120PG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGF50TA120PG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGF50TA120PG
- رقم القطعة:
- APTGF50TA120PG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24499 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGF50TA120PG.pdf2.APTGF50TA120PG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.7V @ 15V, 50A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6-P |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 312W |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 3.45nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module NPT Three Phase 1200V 75A 312W Chassis Mount SP6-P |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 75A |
| ترتيب: | Three Phase |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGF50TA120PG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGF50SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 75A 312W SP4 | تحقيق |
|
APTGF50DH60TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGF75DA120T1G | Microsemi | IGBT 1200V 100A 500W SP1 | تحقيق |
|
APTGF50DSK120T3G | Microsemi | MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 | تحقيق |
 |
APTGF50X60T3G | Microsemi | IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 | تحقيق |
 |
APTGF50H120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTGF50DU120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT DUAL SP4 | تحقيق |
|
APTGF75DDA120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 | تحقيق |
 |
APTGF50H60T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 | تحقيق |
|
APTGF660U60D4G | Microsemi | IGBT 600V 860A 2800W D4 | تحقيق |
|
APTGF530U120D4G | Microsemi | IGBT 1200V 700A 3900W D4 | تحقيق |
|
APTGF50SK120T1G | Microsemi | IGBT 1200V 75A 312W SP1 | تحقيق |
 |
APTGF50VDA120T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 | تحقيق |
 |
APTGF50H60T2G | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 | تحقيق |
|
APTGF50DSK60T3G | Microsemi | IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGF50TDU120PG | Microsemi | IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P | تحقيق |
 |
APTGF50TL60T3G | Microsemi | IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 | تحقيق |
|
APTGF75DA60D1G | Microsemi | IGBT 600V 100A 355W D1 | تحقيق |
|
APTGF50H60T1G | Microsemi | IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTGF50VDA60T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار