APTGF100A1202G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGF100A1202G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGF100A1202G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGF100A1202G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGF100A1202G
- رقم القطعة:
- APTGF100A1202G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21556 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTGF100A1202G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.7V @ 15V, 100A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP2 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 568W |
| حزمة / كيس: | SP2 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 6.5nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 568W Chassis Mount SP2 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 135A |
| ترتيب: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGF100A1202G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDR40X1601G | Microsemi | RECT BRIDGE MOD 3PHASE 1600V SP1 | تحقيق |
 |
APTDF500U40G | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 500A LP4 | تحقيق |
 |
APTDF400U120G | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 450A LP4 | تحقيق |
 |
APTDF60H1201G | Microsemi | POWER MOD DIO FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTGF100A120T3WG | Microsemi | IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3 | تحقيق |
 |
APTGF100DA120TG | Microsemi | IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 | تحقيق |
|
APTDF60H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRDG 600V SP1 | تحقيق |
|
APTDR70X1601G | Microsemi | RECT DIODE MODULE 3PH 1600V SP1 | تحقيق |
 |
APTGF150A120TG | Microsemi | POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 | تحقيق |
 |
APTDF500U20G | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 500A LP4 | تحقيق |
 |
APTGF150A120T3WG | Microsemi | IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 | تحقيق |
 |
APTDF430U100G | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 500A LP4 | تحقيق |
 |
APTDF450U60G | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 500A LP4 | تحقيق |
 |
APTGF100DA120T1G | Microsemi | IGBT 1200V 130A 735W SP1 | تحقيق |
 |
APTGF100A120T3AG | Microsemi | MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3 | تحقيق |
|
APTGF100DU120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 | تحقيق |
 |
APTDR90X1601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1600V 90A SP1 | تحقيق |
 |
APTGF150A120T3AG | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3 | تحقيق |
 |
APTGF100A120TG | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4 | تحقيق |
|
APTGF100SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 135A 568W SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات