APTC60BBM24T3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTC60BBM24T3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTC60BBM24T3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTC60BBM24T3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTC60BBM24T3G
- رقم القطعة:
- APTC60BBM24T3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40673 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTC60BBM24T3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 5mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 24 mOhm @ 47.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 462W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 14400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 300nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W SP3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 95A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTC60BBM24T3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60AM24T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | تحقيق |
|
APTC60DDAM70CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | تحقيق |
|
APTC60DDAM45CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
|
APTC60AM83BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | تحقيق |
|
APTC60DAM35T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 | تحقيق |
|
APTC60DAM24T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | تحقيق |
 |
APTC60DAM18CTG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 143A SP4 | تحقيق |
 |
APTC60AM45B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
|
APTC60AM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
|
APTC60DDAM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | تحقيق |
|
APTC60AM42F2G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | تحقيق |
|
APTC60DDAM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
|
APTC60AM45BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
 |
APTC60DDAM35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 | تحقيق |
|
APTC60AM35T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | تحقيق |
|
APTC60AM70T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | تحقيق |
|
APTC60DAM24CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP4 | تحقيق |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | تحقيق |
|
APTC60DDAM70T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | تحقيق |
|
APTC60AM83B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي