العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT64GA90B
APT64GA90B
APT64GA90B
رقم القطعة:
APT64GA90B
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 900V 117A 500W TO247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
44504 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APT64GA90B.pdf2.APT64GA90B.pdf
تحقيق

المقدمة

APT64GA90B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT64GA90B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT64GA90B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT64GA90B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):900V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:3.1V @ 15V, 38A
اختبار حالة:600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:18ns/131ns
تحويل الطاقة:1857µJ (on), 2311µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 [B]
سلسلة:-
السلطة - ماكس:500W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:APT64GA90BMI
APT64GA90BMI-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:29 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:PT
بوابة المسؤول:162nC
وصف تفصيلي:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B]
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):193A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):117A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT64GA90B

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 تحقيق
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK تحقيق
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 تحقيق
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX تحقيق
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 تحقيق
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 تحقيق
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK تحقيق
APT60M80L2VRG Image APT60M80L2VRG Microsemi MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX تحقيق
APT60N60BCSG Image APT60N60BCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 تحقيق
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 تحقيق
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 تحقيق
APT60M75L2LLG Image APT60M75L2LLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX تحقيق
APT60M80JVR Image APT60M80JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 تحقيق
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX تحقيق
APT60N60SCSG Image APT60N60SCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK تحقيق
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 تحقيق
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX تحقيق
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 تحقيق
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 تحقيق
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 تحقيق

Latest الأخبار