APT40SM120J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT40SM120J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT40SM120J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT40SM120J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT40SM120J
- رقم القطعة:
- APT40SM120J
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42951 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT40SM120J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 1mA (Typ) |
| فغس (ماكس): | +25V, -10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 165W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2560pF @ 1000V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 20V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 20V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1200V 32A (Tc) 165W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT40SM120J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT40M35JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 | تحقيق |
|
APT40N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT40SM120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 | تحقيق |
 |
APT41M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 43A TO-264 | تحقيق |
 |
APT40N60JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | تحقيق |
|
APT43GA90B | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | تحقيق |
 |
APT41M80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX | تحقيق |
 |
APT40M75JN | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT40GR120S | Microsemi | IGBT 1200V 88A 500W D3PAK | تحقيق |
|
APT41F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT42F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK | تحقيق |
|
APT40M42JN | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP | تحقيق |
|
APT40GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 80A 345W TO247 | تحقيق |
|
APT43F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | تحقيق |
|
APT42F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 | تحقيق |
|
APT43GA90BD30 | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO247 | تحقيق |
|
APT43F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | تحقيق |
|
APT40M70LVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 | تحقيق |
|
APT40SM120S | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK | تحقيق |
|
APT40M70JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة