APT40GP60BG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT40GP60BG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT40GP60BG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT40GP60BG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT40GP60BG
- رقم القطعة:
- APT40GP60BG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 100A 543W TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23379 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT40GP60BG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.7V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 20ns/64ns |
| تحويل الطاقة: | 385µJ (on), 352µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| السلطة - ماكس: | 543W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | APT40GP60BGMI APT40GP60BGMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 135nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 160A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT40GP60BG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT40GL120JU2 | Microsemi | MOD IGBT 1200V 65A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT40GR120S | Microsemi | IGBT 1200V 88A 500W D3PAK | تحقيق |
|
APT40GP90J | Microsemi | IGBT 900V 68A 284W SOT227 | تحقيق |
|
APT40DR160HJ | Microsemi | POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227 | تحقيق |
 |
APT40GP60SG | Microsemi | IGBT 600V 100A 543W D3PAK | تحقيق |
 |
APT40GP60B2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 543W TMAX | تحقيق |
|
APT40DS04HJ | Microsemi | MOD DIODE 45V SOT-227 | تحقيق |
|
APT40GLQ120JCU2 | Microsemi | POWER MOD 1200V 80A SOT227 | تحقيق |
 |
APT40DQ60BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | تحقيق |
|
APT40GL120JU3 | Microsemi | MOD IGBT 1200V 65A SOT-227 | تحقيق |
|
APT40GP90B2DQ2G | Microsemi | IGBT 900V 101A 543W TMAX | تحقيق |
 |
APT40GF120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 77A 347W SOT227 | تحقيق |
|
APT40GR120B | Microsemi | IGBT 1200V 88A 500W TO247 | تحقيق |
 |
APT40DQ60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | تحقيق |
|
APT40GR120B2D30 | Microsemi | IGBT 1200V 88A 500W TO247 | تحقيق |
|
APT40GP90JDQ2 | Microsemi | IGBT 900V 64A 284W SOT227 | تحقيق |
|
APT40GR120B2SCD10 | Microsemi | IGBT 1200V 88A 500W TO247 | تحقيق |
|
APT40GP60JDQ2 | Microsemi | IGBT 600V 86A 284W SOT227 | تحقيق |
|
APT40DS10HJ | Microsemi | MOD DIODE 100V SOT-227 | تحقيق |
|
APT40GP90BG | Microsemi | IGBT 900V 100A 543W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة