العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > APT30M85BVRG
APT30M85BVRG
APT30M85BVRG
رقم القطعة:
APT30M85BVRG
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
35655 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APT30M85BVRG.pdf2.APT30M85BVRG.pdf
تحقيق

المقدمة

APT30M85BVRG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT30M85BVRG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT30M85BVRG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT30M85BVRG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 [B]
سلسلة:POWER MOS V®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:85 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4950pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:195nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):300V
وصف تفصيلي:N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT30M85BVRG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT30M70BVFRG Image APT30M70BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 تحقيق
APT30S20SG Image APT30S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 تحقيق
APT30SCD65B Microsemi DIODE SIC 650V 46A TO247 تحقيق
APT30M40B2VFRG Image APT30M40B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX تحقيق
APT30M85SVFRG Image APT30M85SVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK تحقيق
APT30SCD120B Image APT30SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A تحقيق
APT30M70BVRG Image APT30M70BVRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 تحقيق
APT30SCD120S Image APT30SCD120S Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK تحقيق
APT30M70SVRG Image APT30M70SVRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK تحقيق
APT30N60SC6 Image APT30N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK تحقيق
APT30M19JVFR Image APT30M19JVFR Microsemi MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 تحقيق
APT30N60BC6 Image APT30N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 تحقيق
APT30N60KC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 تحقيق
APT30M60J Image APT30M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 تحقيق
APT30S20BG Image APT30S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 تحقيق
APT30M19JVR Image APT30M19JVR Microsemi MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 تحقيق
APT30M40JVR Image APT30M40JVR Microsemi MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 تحقيق
APT30S20BCTG Image APT30S20BCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 تحقيق
APT30M40JVFR Image APT30M40JVFR Microsemi MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 تحقيق
APT30M85BVFRG Image APT30M85BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار