APT30D60BG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT30D60BG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT30D60BG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT30D60BG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT30D60BG
- رقم القطعة:
- APT30D60BG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26391 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT30D60BG.pdf2.APT30D60BG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 30A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 85ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-2 |
| اسماء اخرى: | APT30D60BGMI APT30D60BGMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247 [B] |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT30D60BG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT30D40BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 30A TO247 | تحقيق |
 |
APT30DQ100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | تحقيق |
 |
APT30DL60HJ | Microsemi | DIODE MODULE 600V SOT227 | تحقيق |
 |
APT30DF60HJ | Microsemi | POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227 | تحقيق |
|
APT30D30BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30DQ100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30DF100HJ | Microsemi | DIODE MODULE 1KV SOT227 | تحقيق |
|
APT30D20BCAG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30D40BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30DF20HJ | Microsemi | DIODE MODULE 200V SOT227 | تحقيق |
|
APT30D60BCAG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 27A TO247 | تحقيق |
|
APT30DF120HJ | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | تحقيق |
|
APT30D20BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | تحقيق |
 |
APT30DQ100KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220 | تحقيق |
|
APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30D20BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30D30BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30D60BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | تحقيق |
|
APT30D60BHBG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 27A TO247 | تحقيق |
|
APT30DQ120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات