APT20SCD120B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT20SCD120B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT20SCD120B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT20SCD120B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT20SCD120B
- رقم القطعة:
- APT20SCD120B
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53782 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT20SCD120B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 20A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 68A (DC) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 400µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 68A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 1135pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT20SCD120B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT22F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 | تحقيق |
 |
APT20M45BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | تحقيق |
|
APT20M22LVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 | تحقيق |
 |
APT22F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK | تحقيق |
|
APT20M38BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
|
APT23F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK | تحقيق |
|
APT20N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 | تحقيق |
 |
APT20SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 32A TO220 | تحقيق |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
 |
APT21M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M45BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | تحقيق |
 |
APT20M38SVRG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
|
APT20SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK | تحقيق |
 |
APT22F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX | تحقيق |
|
APT20M38BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
|
APT23F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 | تحقيق |
|
APT22F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 | تحقيق |
|
APT20N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK | تحقيق |
|
APT22F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M38SVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU