APT10SCD65K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT10SCD65K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT10SCD65K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT10SCD65K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT10SCD65K
- رقم القطعة:
- APT10SCD65K
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SILICON 650V 17A TO220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50001 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT10SCD65K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 10A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 650V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 [K] |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 650V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 17A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT10SCD65K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | تحقيق |
 |
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
 |
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | تحقيق |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
 |
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | تحقيق |
|
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | تحقيق |
 |
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | تحقيق |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | تحقيق |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
|
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | تحقيق |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | تحقيق |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
|
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | تحقيق |
|
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | تحقيق |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة