AN8018SA-E1V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AN8018SA-E1V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AN8018SA-E1V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AN8018SA-E1V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AN8018SA-E1V
- رقم القطعة:
- AN8018SA-E1V
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- IC REG CTRLR BUCK/BOOST 16SSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20572 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AN8018SA-E1V.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.8 V ~ 14 V |
| البنية: | Buck, Boost |
| متزامن المعدل: | No |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SSOP |
| سلسلة: | - |
| الواجهات التسلسلية: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| نوع المخرجات: | Transistor Driver |
| مراحل الانتاج: | 1 |
| تكوين الناتج: | Positive or Negative |
| اسماء اخرى: | AN8018SAE1V AN8018SAE1VTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -30°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وظيفة: | Step-Up/Step-Down |
| تردد - التبديل: | 20kHz ~ 1MHz |
| دورة العمل (ماكس): | 77%, 80% |
| وصف تفصيلي: | Buck, Boost Regulator Positive or Negative Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 16-SSOP |
| ميزات التحكم: | Current Limit, Dead Time Control, Enable |
| مزامنة على مدار الساعة: | No |
| رقم جزء القاعدة: | AN8018SA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAN8018SA-E1V
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AN8025 | Panasonic | IC REG LINEAR 2.5V 50MA 3SSIP | تحقيق |
 |
AN8025M | Panasonic | IC REG LINEAR 2.5V 50MA 3HSIP | تحقيق |
 |
AN8016SH-E1V | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8018SA-E1 | Panasonic | IC REG CTRLR BUCK/BOOST 16SSOP | تحقيق |
 |
AN8049FHN-EB | Panasonic | IC REG CTRLR BUCK/BOOST 24QFN | تحقيق |
|
AN8017SA-E1 | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 16SSOP | تحقيق |
|
AN8015SH-E1V | Panasonic | IC REG CTRLR BUCK/BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8016NSHE1V | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8035 | Panasonic | IC REG LINEAR 3.5V 50MA 3SSIP | تحقيق |
|
AN8016NSH-E1 | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8045 | Panasonic | IC REG LINEAR 4.5V 50MA 3SSIP | تحقيق |
|
AN8025M-E1 | Panasonic | IC REG LINEAR 2.5V 50MA 3HSIP | تحقيق |
|
AN8049FHNEBV | Panasonic | IC REG CTRLR BUCK/BOOST 24QFN | تحقيق |
 |
AN8049SH-E1 | Panasonic | IC REG CTRLR BUCK/BOOST 24SSOP | تحقيق |
|
AN8045M-E1 | Panasonic | IC REG LINEAR 4.5V 50MA 3HSIP | تحقيق |
|
AN8016NSHAVF | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8016SHAE1V | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8017SA-E1V | Panasonic | IC REG CTRLR BOOST 16SSOP | تحقيق |
|
AN8015SH-E1 | Panasonic | IC REG CTRLR BUCK/BOOST 10-SSOP | تحقيق |
|
AN8045M | Panasonic | IC REG LINEAR 4.5V 50MA 3HSIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل