ADUM4121-1BRIZ-RL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADUM4121-1BRIZ-RL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADUM4121-1BRIZ-RL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADUM4121-1BRIZ-RL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADUM4121-1BRIZ-RL
- رقم القطعة:
- ADUM4121-1BRIZ-RL
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28143 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADUM4121-1BRIZ-RL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 7.5 V ~ 35 V |
| الجهد - العزلة: | 5000Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | - |
| تكنولوجيا: | Magnetic Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | iCoupler® |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 18ns, 18ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس): | 13ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس): | 42ns, 53ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 2.3A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| الحالي - الناتج الذروة: | 2.3A |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | - |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة): | 150kV/µs |
| رقم جزء القاعدة: | ADUM4121 |
| الموافقات: | CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADUM4121-1BRIZ-RL
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار