ADR525BRT-R2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADR525BRT-R2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADR525BRT-R2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADR525BRT-R2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADR525BRT-R2
- رقم القطعة:
- ADR525BRT-R2
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- IC VREF SHUNT 2.5V SOT23-3
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 26558 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADR525BRT-R2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 2.5V |
| الجهد - الإدخال: | - |
| تسامح: | ±0.2% |
| معامل درجة الحرارة: | 40ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 |
| سلسلة: | - |
| نوع الإشارة: | Shunt |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| اسماء اخرى: | ADR525BRT-R2CT ADR525BRTR2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| الضوضاء - 10HZ إلى 10KHZ: | - |
| الضوضاء - 0.1Hz إلى 10HZ: | 18µVp-p |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | Shunt Voltage Reference IC ±0.2% 15mA SOT-23-3 |
| الحالي - توريد: | - |
| الحالي - الناتج: | 15mA |
| الحالي - القطب السالب: | 50µA |
| رقم جزء القاعدة: | ADR525 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADR525BRT-R2
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي