ADN2860ACPZ250-RL7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADN2860ACPZ250-RL7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADN2860ACPZ250-RL7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADN2860ACPZ250-RL7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADN2860ACPZ250-RL7
- رقم القطعة:
- ADN2860ACPZ250-RL7
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- IC POT DGTL 3CH 250K 24-LFCSP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53446 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADN2860ACPZ250-RL7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 5.5 V, ±2.25 V ~ 2.75 V |
| تسامح: | ±15% |
| معامل درجة الحرارة (تيب): | 35 ppm/°C |
| تفتق: | Linear |
| تجار الأجهزة حزمة: | 24-LFCSP-VQ (4x4) |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - ممسحة (أوم) (نوع): | 250 |
| المقاومة (أوم): | 50k |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 24-VFQFN Exposed Pad, CSP |
| اسماء اخرى: | ADN2860ACPZ250RCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الصنابير: | 128, 512 |
| عدد الدوائر: | 3 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | I²C |
| الميزات: | Selectable Address |
| وصف تفصيلي: | Digital Potentiometer 50k Ohm 3 Circuit 128, 512 Taps I²C Interface 24-LFCSP-VQ (4x4) |
| ترتيب: | Potentiometer |
| رقم جزء القاعدة: | ADN2860 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADN2860ACPZ250-RL7
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة