ADG658YRU متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADG658YRU، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADG658YRU عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADG658YRU مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADG658YRU
- رقم القطعة:
- ADG658YRU
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 29496 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADG658YRU.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 2 V ~ 12 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±2 V ~ 6 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 115ns, 45ns |
| تبديل الدائرة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-TSSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 75 Ohm |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 8:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | 1 Circuit IC Switch 8:1 75 Ohm 16-TSSOP |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 200pA |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | 2pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 1.3 Ohm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 4pF, 23pF |
| رقم جزء القاعدة: | ADG658 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 210MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADG658YRU
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC