ADG5401BRMZ-RL7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADG5401BRMZ-RL7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADG5401BRMZ-RL7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADG5401BRMZ-RL7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADG5401BRMZ-RL7
- رقم القطعة:
- ADG5401BRMZ-RL7
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- IC SWITCH SPST 8MSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49139 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADG5401BRMZ-RL7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 9 V ~ 40 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±9 V ~ 22 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 21ns, 23ns |
| تبديل الدائرة: | SPST - NO |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-MSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 7 Ohm |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 1:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 1 Circuit IC Switch 1:1 7 Ohm 8-MSOP |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 500pA |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | 275pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | - |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 21pF, 23pF |
| رقم جزء القاعدة: | ADG5401 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 170MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADG5401BRMZ-RL7
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة