ADG3304BRUZ-REEL7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADG3304BRUZ-REEL7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADG3304BRUZ-REEL7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADG3304BRUZ-REEL7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADG3304BRUZ-REEL7
- رقم القطعة:
- ADG3304BRUZ-REEL7
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 14TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36536 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADG3304BRUZ-REEL7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - فكب: | 1.65V ~ 5.5V |
| الجهد - فكا: | 1.15V ~ 5.5V |
| نوع المترجم: | Voltage Level |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-TSSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| نوع المخرجات: | Tri-State, Non-Inverted |
| إشارة الخرج: | - |
| اسماء اخرى: | ADG3304BRUZ-REEL7CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| اشارة ادخال: | - |
| الميزات: | Auto-Direction Sensing |
| وصف تفصيلي: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 4 Channel 50Mbps 14-TSSOP |
| معدل البيانات: | 50Mbps |
| القنوات لكل دائرة: | 4 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Bidirectional |
| رقم جزء القاعدة: | ADG3304 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADG3304BRUZ-REEL7
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل