ADC1212D065HN/C1/5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ADC1212D065HN/C1/5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ADC1212D065HN/C1/5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ADC1212D065HN/C1/5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ADC1212D065HN/C1/5
- رقم القطعة:
- ADC1212D065HN/C1/5
- وصف:
- ADC 12BIT SPI 65MSPS 64VFQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50969 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ADC1212D065HN/C1/5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد والرقمية: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| الجهد - توريد والنظير: | 2.85 V ~ 3.4 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 64-HVQFN (9x9) |
| سلسلة: | - |
| معدل أخذ العينات (في الثانية): | 65M |
| نوع الإشارة: | External, Internal |
| نسبة - S / H: أدك: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 64-VFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 568-5647 935289089551 ADC1212D065HN/C1/5-ND ADC1212D065HNC15 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد القطع: | 12 |
| عدد محولات A / D: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Differential, Single Ended |
| الميزات: | Simultaneous Sampling |
| وصف تفصيلي: | 12 Bit Analog to Digital Converter 2 Input 1 Pipelined 64-HVQFN (9x9) |
| واجهة البيانات: | LVDS - Parallel, Parallel |
| ترتيب: | S/H-ADC |
| رقم جزء القاعدة: | ADC1212D |
| هندسة معمارية: | Pipelined |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لADC1212D065HN/C1/5
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة