A3G18H500-04SR3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل A3G18H500-04SR3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل A3G18H500-04SR3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء A3G18H500-04SR3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
A3G18H500-04SR3
- رقم القطعة:
- A3G18H500-04SR3
- وصف:
- RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
- كمية المخزون:
- 39360 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.A3G18H500-04SR3.pdf2.A3G18H500-04SR3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 48V |
| الجهد - تقييمه: | 125V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S-4L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 107W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S-4L |
| اسماء اخرى: | 935351522128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| ربح: | 15.4dB |
| تردد: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 200mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 15.4dB 107W NI-780S-4L |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA3G18H500-04SR3
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU