A2T20H330W24NR6 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل A2T20H330W24NR6، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل A2T20H330W24NR6 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء A2T20H330W24NR6 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
A2T20H330W24NR6
- رقم القطعة:
- A2T20H330W24NR6
- وصف:
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- كمية المخزون:
- 46434 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- A2T20H330W24NR6.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM-1230-4L2L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 229W |
| حزمة / كيس: | OM-1230-4L2L |
| اسماء اخرى: | 935316239528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ربح: | 15.9dB |
| تردد: | 1.88GHz ~ 2.025GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.88GHz ~ 2.025GHz 15.9dB 229W OM-1230-4L2L |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 700mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2T20H330W24NR6
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل