8T49N286-000NLGI8 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 8T49N286-000NLGI8، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 8T49N286-000NLGI8 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 8T49N286-000NLGI8 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
8T49N286-000NLGI8
- رقم القطعة:
- 8T49N286-000NLGI8
- وصف:
- IC VCXO-PLL WIRELESS 72VFQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56227 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 8T49N286-000NLGI8.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.375 V ~ 3.465 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 72-VFQFPN (10x10) |
| سلسلة: | FemtoClock® |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 5:8 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 72-VFQFN Exposed Pad |
| PLL: | Yes |
| الناتج: | HSCL, LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الغرض الرئيسى: | Ethernet, SONET/SDH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال: | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVHSTL, LVPECL, Crystal |
| تردد - الحد الأقصى: | 1GHz |
| التفاضلية - الإدخال: إخراج: | Yes/Yes |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل8T49N286-000NLGI8
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار