82V3012PVG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 82V3012PVG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 82V3012PVG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 82V3012PVG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
82V3012PVG
- رقم القطعة:
- 82V3012PVG
- وصف:
- IC PLL WAN T1/E1/OC3 DUAL 56SSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44001 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.82V3012PVG.pdf2.82V3012PVG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 56-SSOP |
| سلسلة: | - |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 2:12 |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 56-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| PLL: | Yes |
| الناتج: | CMOS, LVDS, TTL |
| اسماء اخرى: | 800-1998-5 IDT82V3012PVG IDT82V3012PVG-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الغرض الرئيسى: | Ethernet, SONET/SDH, Stratum, T1/E1/OC3 |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال: | Clock |
| تردد - الحد الأقصى: | 32.768MHz |
| التفاضلية - الإدخال: إخراج: | No/Yes |
| رقم جزء القاعدة: | IDT82V3012 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل82V3012PVG
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار