810F200 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 810F200، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 810F200 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 810F200 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
810F200
- رقم القطعة:
- 810F200
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES CHAS MNT 200 OHM 1% 10W
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 31727 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 810F200.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±20ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.750" L x 0.812" W (19.05mm x 20.63mm) |
| سلسلة: | Metal-Mite®89 |
| وضع لوحة: | 200 Ohms |
| السلطة (واتس): | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial, Box |
| اسماء اخرى: | OH810F200 OH810F200-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 275°C |
| تصاعد ميزة: | Flanges |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| قيادي نمط: | Solder Lugs |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.400" (10.16mm) |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 200 Ohms ±1% 10W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل810F200
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
810F15R | Ohmite | RES CHAS MNT 15 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1R0E | Ohmite | RES CHAS MNT 1 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F25R | Ohmite | RES CHAS MNT 25 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F20KE | Ohmite | RES CHAS MNT 20K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F20R | Ohmite | RES CHAS MNT 20 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F25KE | Ohmite | RES CHAS MNT 25K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F200E | Ohmite | RES CHAS MNT 200 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1R0 | Ohmite | RES CHAS MNT 1 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F250E | Ohmite | RES CHAS MNT 250 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1K5E | Ohmite | RES CHAS MNT 1.5K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F25K | Ohmite | RES CHAS MNT 25K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1R5E | Ohmite | RES CHAS MNT 1.5 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1R5 | Ohmite | RES CHAS MNT 1.5 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F15RE | Ohmite | RES CHAS MNT 15 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F250 | Ohmite | RES CHAS MNT 250 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F20K | Ohmite | RES CHAS MNT 20K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1K0 | Ohmite | RES CHAS MNT 1K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F20RE | Ohmite | RES CHAS MNT 20 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1K0E | Ohmite | RES CHAS MNT 1K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
810F1K5 | Ohmite | RES CHAS MNT 1.5K OHM 1% 10W | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي