81006AKILFT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 81006AKILFT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 81006AKILFT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 81006AKILFT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
81006AKILFT
- رقم القطعة:
- 81006AKILFT
- وصف:
- IC VCXO TO 6 LVCMOS OUT 20VFQFPN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31103 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 81006AKILFT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.6 V ~ 3.465 V |
| اكتب: | Voltage Controlled Crystal Oscillator (VCXO) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-VFQFPN (4x4) |
| سلسلة: | - |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:6 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| PLL: | No |
| الناتج: | LVCMOS, LVTTL |
| اسماء اخرى: | ICS81006AKILFT ICS81006AKILFT-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال: | Crystal |
| تردد - الحد الأقصى: | 31.25MHz |
| المفرق / المضاعف: | Yes/No |
| التفاضلية - الإدخال: إخراج: | No/No |
| رقم جزء القاعدة: | ICS81006 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل81006AKILFT
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل