74VHCT574ASJX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74VHCT574ASJX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74VHCT574ASJX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74VHCT574ASJX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74VHCT574ASJX
- رقم القطعة:
- 74VHCT574ASJX
- وصف:
- IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21425 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74VHCT574ASJX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| اكتب: | D-Type |
| الزناد نوع: | Positive Edge |
| سلسلة: | 74VHCT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| نوع المخرجات: | Tri-State, Non-Inverted |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 1 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 8 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 10.4ns @ 5V, 50pF |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة: | 4pF |
| وظيفة: | Standard |
| الحالية - هادئة (Iq): | 4µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 8mA, 8mA |
| تردد على مدار الساعة: | 130MHz |
| رقم جزء القاعدة: | 74VHCT574 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74VHCT574ASJX
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار