74LVC2G14GV,125 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74LVC2G14GV,125، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74LVC2G14GV,125 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74LVC2G14GV,125 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74LVC2G14GV,125
- رقم القطعة:
- 74LVC2G14GV,125
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC INVERTER SCHMITT 2CH 6TSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56142 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74LVC2G14GV,125.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | 74LVC |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-74, SOT-457 |
| اسماء اخرى: | 1727-6088-1 568-7780-1 568-7780-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 4.3ns @ 5V, 50pF |
| نوع المنطق: | Inverter |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.25 V ~ 1.2 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.5 V ~ 3.6 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Schmitt Trigger |
| وصف تفصيلي: | Inverter IC 2 Channel Schmitt Trigger 6-TSOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 4µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 32mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74LVC2G14 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74LVC2G14GV,125
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC