74LVC2G00GXX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74LVC2G00GXX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74LVC2G00GXX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74LVC2G00GXX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74LVC2G00GXX
- رقم القطعة:
- 74LVC2G00GXX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP 8X2SON
- كمية المخزون:
- 24193 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74LVC2G00GXX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3.3 V ~ 5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-X2SON (1.35x0.8) |
| سلسلة: | 74LVC |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-XFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1727-7433-2 74LVC2G00GXX-ND 935308444115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 4.2ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.1 V ~ 0.8 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 0.95 V ~ 3.4 V |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 2 Channel 8-X2SON (1.35x0.8) |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 4µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 32mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74LVC2G00GXX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74LVC2G00GM,125 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XQFN | تحقيق |
 |
74LVC2G00GN,115 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
 |
74LVC2952APW,118 | NXP Semiconductors / Freescale | IC TXRX NON-INVERT 3.6V 24TSSOP | تحقيق |
 |
74LVC2G02GF,115 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
|
74LVC2G00GF,115 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
 |
74LVC2G00GT,115 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
 |
74LVC2G00DC-Q100H | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8VSSOP | تحقيق |
|
74LVC2G02DP-Q100H | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8TSSOP | تحقيق |
 |
74LVC2G00GS,115 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
 |
74LVC2G02DC,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8VSSOP | تحقيق |
|
74LVC2G02GM,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8XQFN | تحقيق |
 |
74LVC2G02GD,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
|
74LVC2G00DC,125 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8VSSOP | تحقيق |
|
74LVC2G02DP,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8TSSOP | تحقيق |
|
74LVC2G02DC-Q100H | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8VSSOP | تحقيق |
|
74LVC2G00HD4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 2CH 2-INP DFN2010-8 | تحقيق |
|
74LVC2G00GD,125 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON | تحقيق |
|
74LVC2G00DP,125 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8TSSOP | تحقيق |
 |
74LVC2G00HK3-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 2CH 2-INP DFN1410-8 | تحقيق |
|
74LVC2G00RA3-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 2CH 2-INP DFN1210-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل