74LVC1G10W6-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74LVC1G10W6-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74LVC1G10W6-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74LVC1G10W6-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74LVC1G10W6-7
- رقم القطعة:
- 74LVC1G10W6-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- IC GATE NAND 1CH 3-INP SOT26
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36127 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74LVC1G10W6-7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | 74LVC |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | 74LVC1G10W6-7TR 74LVC1G10W67 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 3 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 3.6ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.7 V ~ 2 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 1 Channel SOT-26 |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 40µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 32mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74LVC1G10 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74LVC1G10W6-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74LVC1G11GM,115 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
|
74LVC1G10GM,115 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74LVC1G10FW4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6 | تحقيق |
 |
74LVC1G11GF,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74LVC1G10GW,125 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6TSSOP | تحقيق |
|
74LVC1G11FW4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 3-INP DFN1010-6 | تحقيق |
 |
74LVC1G11FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 3-INP DFN1410-6 | تحقيق |
|
74LVC1G10GW-Q100H | Nexperia | 74LVC1G10GW-Q100/SOT363/SC-88 | تحقيق |
|
74LVC1G11GM,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
|
74LVC1G11GS,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74LVC1G11DW-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 3-INP SOT363 | تحقيق |
 |
74LVC1G10GV,125 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6TSOP | تحقيق |
|
74LVC1G10FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1410-6 | تحقيق |
|
74LVC1G11GV,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6TSOP | تحقيق |
|
74LVC1G10GF,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
|
74LVC1G11GV-Q100H | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6TSOP | تحقيق |
|
74LVC1G10GN,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
|
74LVC1G11GN,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
|
74LVC1G10GS,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
|
74LVC1G10GM,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل