74LV14DB,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74LV14DB,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74LV14DB,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74LV14DB,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74LV14DB,118
- رقم القطعة:
- 74LV14DB,118
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22151 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74LV14DB,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SSOP |
| سلسلة: | 74LV |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| اسماء اخرى: | 1727-6654-2 568-8943-2 568-8943-2-ND 74LV14DB,118-ND 74LV14DB-T 74LV14DB-T-ND 74LV14DB118 935170180118 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 6 |
| عدد الدوائر: | 6 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 15ns @ 3.3V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | Inverter |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.3 V ~ 1.1 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.4 V ~ 3.85 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Schmitt Trigger |
| وصف تفصيلي: | Inverter IC 6 Channel Schmitt Trigger 14-SSOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 40µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 12mA, 12mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74LV14 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74LV14DB,118
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة