74LV00PW,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74LV00PW,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74LV00PW,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74LV00PW,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74LV00PW,112
- رقم القطعة:
- 74LV00PW,112
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56590 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74LV00PW,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-TSSOP |
| سلسلة: | 74LV |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 74LV00PW 74LV00PW-ND 935174100112 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 6.5ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.3 V ~ 0.8 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 0.9 V ~ 2 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 4 Channel 14-TSSOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 40µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 12mA, 12mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74LV00 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74LV00PW,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74LCXZ245WM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20SOIC | تحقيق |
 |
74LV00D,112 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
 |
74LV00DB,112 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP | تحقيق |
|
74LV02D,112 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
|
74LV03D,112 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
 |
74LV00AS14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
 |
74LV00N,112 | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DIP | تحقيق |
|
74LV04AS14-13 | Diodes Incorporated | IC INVERTER 6CH 6-INP 14SO | تحقيق |
|
74LCXZ245WMX | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20SOIC | تحقيق |
|
74LV00DB,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP | تحقيق |
 |
74LV02BQ,115 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14DHVQFN | تحقيق |
 |
74LV02PW,118 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74LV00PW,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74LV02D,118 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
 |
74LV00AT14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74LV00BQ,115 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DHVQFN | تحقيق |
|
74LV02PW,112 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
 |
74LV00PW/AUJ | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74LV00D,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
|
74LV03D,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS