74HCT4351D,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74HCT4351D,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74HCT4351D,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74HCT4351D,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74HCT4351D,112
- رقم القطعة:
- 74HCT4351D,112
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC MUX/DEMUX 8X1 20SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49824 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74HCT4351D,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 4.5 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±1 V ~ 5 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 35ns, 23ns |
| تبديل الدائرة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-SO |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| اسماء اخرى: | 1727-3442 568-2873-5 568-2873-5-ND 74HCT4351D112 933774600112 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 120 Ohm |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 8:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 1 Circuit IC Switch 8:1 120 Ohm 20-SO |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 100nA |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | - |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 6 Ohm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 3.5pF |
| رقم جزء القاعدة: | 74HCT4351 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 170MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74HCT4351D,112
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة