74HCT240BQ,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74HCT240BQ,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74HCT240BQ,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74HCT240BQ,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74HCT240BQ,115
- رقم القطعة:
- 74HCT240BQ,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC BUFFER INVERT 5.5V 20DHVQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38848 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74HCT240BQ,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-DHVQFN-EP (2.5x4.5) |
| سلسلة: | 74HCT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | 3-State |
| اسماء اخرى: | 74HCT240BQ-G 74HCT240BQ-G-ND 935283684115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 2 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | Buffer, Inverting |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| وصف تفصيلي: | Buffer, Inverting 2 Element 4 Bit per Element 3-State Output 20-DHVQFN-EP (2.5x4.5) |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 6mA, 6mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74HCT240 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74HCT240BQ,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74HCT238D,653 | Nexperia | IC DECODER/DEMUX 3-8 LINE 16SOIC | تحقيق |
 |
74HCT240D,653 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20SO | تحقيق |
 |
74HCT238BQ-Q100X | Nexperia | IC DECODER/DEMUX 3-8 16DHVQFN | تحقيق |
|
74HCT240BQ-Q100,11 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20DHVQFN | تحقيق |
|
74HCT240DB,118 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20SSOP | تحقيق |
 |
74HCT238N,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC DECODER/DEMUX 3-8 LINE 16-DIP | تحقيق |
 |
74HCT240D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC BUFFER INVERT 5.5V 20SOIC | تحقيق |
 |
74HCT238DB,112 | Nexperia | IC 3-8 LINE DECODER/DEMUX 16SSOP | تحقيق |
|
74HCT238PW,118 | Nexperia | IC DECOD/DEMUX 3-8 LINE 16TSSOP | تحقيق |
 |
74HCT240N,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP | تحقيق |
 |
74HCT240PW,112 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP | تحقيق |
|
74HCT240DB,112 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20SSOP | تحقيق |
|
74HCT238DB,118 | Nexperia | IC DECODER/DEMUX 3-8 LINE 16SSOP | تحقيق |
|
74HCT240PW,118 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP | تحقيق |
|
74HCT240D,652 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20SO | تحقيق |
|
74HCT238D-Q100J | Nexperia | IC DECODER/DEMUX 3-8 16SOIC | تحقيق |
|
74HCT238PW,112 | Nexperia | IC 3-8 LINE DECOD/DEMUX 16-TSSOP | تحقيق |
|
74HCT238D,652 | Nexperia | IC 3-8 LINE DECODER/DEMUX 16SOIC | تحقيق |
|
74HCT238PW-Q100J | Nexperia | IC DECODER/DEMUX 3-8 16TSSOP | تحقيق |
|
74HCT240D-Q100,118 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل