74HC03DB,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74HC03DB,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74HC03DB,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74HC03DB,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74HC03DB,118
- رقم القطعة:
- 74HC03DB,118
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22469 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74HC03DB,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2 V ~ 6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SSOP |
| سلسلة: | 74HC |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| اسماء اخرى: | 74HC03DB-T 74HC03DB-T-ND 935173770118 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 16ns @ 6V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.5 V ~ 1.8 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.5 V ~ 4.2 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Open Drain |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 4 Channel Open Drain 14-SSOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 2µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | -, 5.2mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74HC03 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74HC03DB,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74HC04BQ-Q100,115 | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 14DHVQFN | تحقيق |
|
74HC04BQ,115 | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 14DHVQFN | تحقيق |
 |
74HC03D,652 | Nexperia | IC GATE NAND OD 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
 |
74HC03PW-Q100J | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74HC03PW,112 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
 |
74HC03DB,112 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP | تحقيق |
|
74HC04D,652 | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 14SO | تحقيق |
 |
74HC03N,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DIP | تحقيق |
|
74HC02PW,118 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
 |
74HC04D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC | تحقيق |
|
74HC04D,653 | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 14SO | تحقيق |
|
74HC03D,653 | Nexperia | IC GATE NAND OD 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
 |
74HC03DB-Q100J | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SSOP | تحقيق |
|
74HC02PW,112 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74HC03PW,118 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74HC03D/AUJ | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE NAND OD 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
|
74HC02PW-Q100,118 | Nexperia | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP | تحقيق |
|
74HC03D-Q100J | Nexperia | IC GATE NAND OD 4CH 2-INP 14SO | تحقيق |
|
74HC03D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | تحقيق |
|
74HC02N,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE NOR 4CH 2-INP 14DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات