74CB3Q3257BQX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74CB3Q3257BQX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74CB3Q3257BQX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74CB3Q3257BQX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74CB3Q3257BQX
- رقم القطعة:
- 74CB3Q3257BQX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- 74CB3Q3257BQ/SOT763/DHVQFN16
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39662 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74CB3Q3257BQX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد المصدر التموين: | Single Supply |
| الجهد - توريد: | 2.3 V ~ 3.6 V |
| اكتب: | Multiplexer/Demultiplexer |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-DHVQFN (2.5x3.5) |
| سلسلة: | 74CB |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1727-7654-2 74CB3Q3257BQX-ND 935339458115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الدوائر المستقلة: | 1 |
| وصف تفصيلي: | Multiplexer/Demultiplexer 4 x 2:1 16-DHVQFN (2.5x3.5) |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | - |
| الدارة الكهربائية: | 4 x 2:1 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74CB3Q3257BQX
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي