74AUP1G04DTR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74AUP1G04DTR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74AUP1G04DTR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74AUP1G04DTR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74AUP1G04DTR
- رقم القطعة:
- 74AUP1G04DTR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC INVERTER 1CH 1-INP 6DFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48115 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74AUP1G04DTR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.2 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN (1.2x1.0) |
| سلسلة: | 74AUP |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 6-UFDFN |
| اسماء اخرى: | 497-6823-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 1 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 3.8ns @ 3.3V, 30pF |
| نوع المنطق: | Inverter |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.6 V ~ 2 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | Inverter IC 1 Channel 6-DFN (1.2x1.0) |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 100nA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 10mA, 10mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74AUP1G04 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74AUP1G04DTR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74AUP1G04FW5-7 | Diodes Incorporated | IC INVERTER 1CH 1-INP DFN1010-6 | تحقيق |
 |
74AUP1G04GS,132 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74AUP1G02GM,132 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 6XSON | تحقيق |
|
74AUP1G02GM,115 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 6XSON | تحقيق |
|
74AUP1G02GN,132 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 6XSON | تحقيق |
|
74AUP1G02GS,132 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74AUP1G02SE-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NOR 1CH 2-INP SOT353 | تحقيق |
 |
74AUP1G02GW,125 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 5TSSOP | تحقيق |
|
74AUP1G04GM,115 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74AUP1G04FS3-7 | Diodes Incorporated | IC INVERTER 1CH 1-INP 4X2DFN | تحقيق |
|
74AUP1G02GF,132 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 6XSON | تحقيق |
|
74AUP1G04GM,132 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 6XSON | تحقيق |
 |
74AUP1G02FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NOR 1CH 2-INP DFN1410-6 | تحقيق |
|
74AUP1G04GF,132 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 6XSON | تحقيق |
|
74AUP1G04GN,132 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 6XSON | تحقيق |
|
74AUP1G02GW-Q100H | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 5TSSOP | تحقيق |
 |
74AUP1G04FW4-7 | Diodes Incorporated | IC INVERTER 1CH 1-INP DFN1010-6 | تحقيق |
|
74AUP1G04FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC INVERTER 1CH 1-INP DFN1410-6 | تحقيق |
 |
74AUP1G04FX4-7 | Diodes Incorporated | IC INVERTER 1CH 1-INP DFN1409-6 | تحقيق |
|
74AUP1G02GX,125 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 4SON | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل