74AHCT1G86DBVRG4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74AHCT1G86DBVRG4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74AHCT1G86DBVRG4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74AHCT1G86DBVRG4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74AHCT1G86DBVRG4
- رقم القطعة:
- 74AHCT1G86DBVRG4
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT23-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38347 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74AHCT1G86DBVRG4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-5 |
| سلسلة: | 74AHCT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-74A, SOT-753 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 7.9ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| نوع المنطق: | XOR (Exclusive OR) |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.8V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 2V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | XOR (Exclusive OR) IC 1 Channel SOT-23-5 |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 1µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 8mA, 8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74AHCT1G86 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74AHCT1G86DBVRG4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74AHCT1G86GW-Q100, | Nexperia | IC GATE XOR 1CH 2-INP 5TSSOP | تحقيق |
 |
74AHCT1G86DBVTG4 | Luminary Micro / Texas Instruments | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT23-5 | تحقيق |
 |
74AHCT240BQ,115 | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20DHVQFN | تحقيق |
|
74AHCT1G66GW,125 | Nexperia | IC SWITCH SPST 5TSSOP | تحقيق |
|
74AHCT240BQ-Q100X | Nexperia | IC BUFFER INVERT 5.5V 20DHVQFN | تحقيق |
|
74AHCT1G79GW,125 | Nexperia | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 5TSSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G79GW,165 | Nexperia | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 5TSSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G66GW-Q100H | Nexperia | IC SWITCH SPST 5TSSOP | تحقيق |
 |
74AHCT1G86GV-Q100, | Nexperia | IC GATE XOR 1CH 2-INP 5TSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G66GW,165 | Nexperia | IC SWITCH SPST 5TSSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G86GW,165 | Nexperia | IC GATE XOR 1CH 2-INP 5TSSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G79GV,125 | Nexperia | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 5TSOP | تحقيق |
 |
74AHCT1G86W5-7 | Diodes Incorporated | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT25 | تحقيق |
|
74AHCT1G66GV,125 | Nexperia | IC SWITCH SPST 5TSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G66GV-Q100H | Nexperia | IC SWITCH SPST 5TSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G79GW-Q100H | Nexperia | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 5TSSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G86GV,125 | Nexperia | IC GATE XOR 1CH 2-INP 5TSOP | تحقيق |
|
74AHCT1G86GW,125 | Nexperia | IC GATE XOR 1CH 2-INP 5TSSOP | تحقيق |
 |
74AHCT1G86SE-7 | Diodes Incorporated | IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT353 | تحقيق |
|
74AHCT1G79GV-Q100H | Nexperia | IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 5TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل