74AHC126BQ-Q100,11 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74AHC126BQ-Q100,11، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74AHC126BQ-Q100,11 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74AHC126BQ-Q100,11 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74AHC126BQ-Q100,11
- رقم القطعة:
- 74AHC126BQ-Q100,11
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14DHVQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23050 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74AHC126BQ-Q100,11.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-DHVQFN (2.5x3) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100, 74AHC |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-VFQFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | 3-State |
| اسماء اخرى: | 935298637115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 4 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | Buffer, Non-Inverting |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| وصف تفصيلي: | Buffer, Non-Inverting 4 Element 1 Bit per Element 3-State Output 14-DHVQFN (2.5x3) |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 8mA, 8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74AHC126 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74AHC126BQ-Q100,11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
74AHC126D,112 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
 |
74AHC126PW,118 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
 |
74AHC126S14-13 | Diodes Incorporated | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC126D-Q100,118 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC125PW,112 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
|
74AHC125S14-13 | Diodes Incorporated | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC125PW,118 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
 |
74AHC132BQ,115 | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DHVQFN | تحقيق |
 |
74AHC126T14-13 | Diodes Incorporated | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
|
74AHC126BQ,115 | Nexperia | IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14DHVQFN | تحقيق |
|
74AHC125D,112 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC125PW-Q100,11 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
|
74AHC125D,118 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC125D-Q100,118 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC125BQ-Q100,11 | Nexperia | IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14DHVQFN | تحقيق |
|
74AHC126D,118 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO | تحقيق |
|
74AHC126PW,112 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
|
74AHC125T14-13 | Diodes Incorporated | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
|
74AHC132BQ-Q100X | Nexperia | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DHVQFN | تحقيق |
|
74AHC126PW-Q100,11 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل