74ACT11257NSRG4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74ACT11257NSRG4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74ACT11257NSRG4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74ACT11257NSRG4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74ACT11257NSRG4
- رقم القطعة:
- 74ACT11257NSRG4
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC 2-1 LINE SELEC/MUX 20SO
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48898 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74ACT11257NSRG4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد المصدر التموين: | Single Supply |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| اكتب: | Multiplexer |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-SO |
| سلسلة: | 74ACT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الدوائر المستقلة: | 1 |
| وصف تفصيلي: | Multiplexer 4 x 2:1 20-SO |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 24mA, 24mA |
| الدارة الكهربائية: | 4 x 2:1 |
| رقم جزء القاعدة: | 74ACT11257 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74ACT11257NSRG4
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل