74ABT04D,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 74ABT04D,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 74ABT04D,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 74ABT04D,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
74ABT04D,118
- رقم القطعة:
- 74ABT04D,118
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC INVERTER 6CH 6-INP 14SO
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47718 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 74ABT04D,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SO |
| سلسلة: | 74ABT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 1727-6503-2 568-8765-2 568-8765-2-ND 74ABT04D,118-ND 74ABT04D-T 74ABT04D-T-ND 74ABT04D118 935206990118 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 6 |
| عدد الدوائر: | 6 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 3.4ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | Inverter |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.8V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 2V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | Inverter IC 6 Channel 14-SO |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 50µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 15mA, 20mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74ABT04 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل74ABT04D,118
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة