744766910 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 744766910، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 744766910 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 744766910 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
744766910
- رقم القطعة:
- 744766910
- الصانع:
- Wurth Electronics
- وصف:
- FIXED IND 10UH 825MA 420 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20061 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 744766910.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | WE-GFH |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 35 @ 1.06MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 732-7302-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Iron Powder |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1.06MHz |
| الحث: | 10µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.134" (3.40mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 36MHz |
| وصف تفصيلي: | 10µH Unshielded Inductor 825mA 420 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 420 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 825mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل744766910
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
7447669118 | Wurth Electronics | FIXED IND 18UH 700MA 680 MOHM | تحقيق |
|
744766904 | Wurth Electronics | FIXED IND 4.7UH 1.2A 235 MOHM | تحقيق |
|
7447669147 | Wurth Electronics | FIXED IND 47UH 425MA 1.54 OHM | تحقيق |
 |
744765151A | Wurth Electronics | FIXED IND 51NH 100MA 820 MOHM | تحقيق |
|
7447669012 | Wurth Electronics | FIXED IND 1.2UH 1.8A 105 MOHM | تحقيق |
|
744766902 | Wurth Electronics | FIXED IND 2.2UH 1.45A 160 MOHM | تحقيق |
|
7447669039 | Wurth Electronics | FIXED IND 3.9UH 1.25A 215 MOHM | تحقيق |
|
7447669139 | Wurth Electronics | FIXED IND 39UH 460MA 1.35 OHM | تحقيق |
|
7447669127 | Wurth Electronics | FIXED IND 27UH 575MA 890 MOHM | تحقيق |
|
7447669133 | Wurth Electronics | FIXED IND 33UH 525MA 1.06 OHM | تحقيق |
|
7447669122 | Wurth Electronics | FIXED IND 22UH 650MA 790 MOHM | تحقيق |
|
7447669115 | Wurth Electronics | FIXED IND 15UH 800MA 535 MOHM | تحقيق |
|
7447669168 | Wurth Electronics | FIXED IND 68UH 350MA 2.25 OHM | تحقيق |
|
744766901 | Wurth Electronics | FIXED IND 1UH 1.9A 90 MOHM SMD | تحقيق |
|
744765210A | Wurth Electronics | FIXED IND 100NH 100MA 2.52 OHM | تحقيق |
|
7447669112 | Wurth Electronics | FIXED IND 12UH 810MA 465 MOHM | تحقيق |
|
744765156A | Wurth Electronics | FIXED IND 56NH 100MA 970 MOHM | تحقيق |
|
7447669156 | Wurth Electronics | FIXED IND 56UH 400MA 2 OHM SMD | تحقيق |
|
744766903 | Wurth Electronics | FIXED IND 3.3UH 1.3A 195 MOHM | تحقيق |
|
744766906 | Wurth Electronics | FIXED IND 6.8UH 1.025A 290 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل